Средний балл ЕГЭ поступивших в университет – на уровне лучших вузов РФ

– В наш университет в этом году зачислено рекордное количество победителей и призеров олимпиад – 110 человек. Это более чем на 40% превышает прошлогодний результат, – отмечает начальник Управления нового набора ТГУ Евгений Павлов. – Значительно вырос и средний балл ЕГЭ поступающих – на 2 балла: в прошлом году он был 78, в этом – уже 80. По этому показателю мы вышли на уровень лучших столичных вузов. Это означает, что ТГУ выбрали лучшие абитуриенты, самые мотивированные, нацеленные на успех.

Вне конкурса на бюджетные места в университет поступили 84 победителя и призера олимпиад из списка Минобрнауки РФ. Лидер по количеству «олимпиадников» – Институт прикладной математики и компьютерных наук, его выбрали около 20 человек. Примерно по 10 абитуриентов поступили вне конкурса на филологический факультет, факультеты иностранных языков, истории и политических наук, в Юридический институт и Институт экономики и менеджмента.

Еще 26 победителей и призеров олимпиад зачислены в университет по общему конкурсу. Все они, а также абитуриенты с баллами ЕГЭ выше 90 в первом семестре будут получать повышенную ректорскую стипендию – до 10 тысяч рублей.

– Можно говорить и о повышении общего конкурса на бюджетные места, особенно на IT-направления. Конкурс на «Программную инженерию», например, был более 10 человек на место, – добавляет Евгений Павлов. – Возрастает интерес к специальностям гуманитарного профиля – филологии, социологии, историческим наукам. Так, проходные баллы на большинство гуманитарных факультетов были на уровне 250, на эти направления в основном подавали документы именно высокобалльники.

Приемная кампания в университете продолжается – до 14 августа можно подать заявления на магистерские программы. Зачисление в магистратуру состоится 17 августа.

Завершится прием в ТГУ 31 августа – зачислением на платную (договорную) форму обучения. У тех абитуриентов, кто не прошел по конкурсу на бюджетные места, есть возможность учиться в университете на платной основе.